模块1794-0E12

影响Tg的因素有化学结构、相对分子量、结晶度、交联固化、样品历史效应（热历史、应力历史、退火历史、形态历史）等。具有僵硬的主链或带有大的侧基的聚合物将具有较高的Tg；链间具有较强吸引力的高分子，不易膨胀，有较高的Tg；在分子链上挂有松散的侧基，使分子结构变得松散，即增加了自由体积，而使Tg降低。

模块1794-0E12

存储器内存容量的估算没有固定的公式，许多文献资料中给出了不同公式，大体上都是按数字量I/O点数的10～15倍，加上模拟I/O点数的100倍，以此数为内存的总字数（16位为一个字），另外再按此数的25%考虑余量。

控制功能选择

该选择包括运算功能、控制功能、通信功能、编程功能、诊断功能和处理速度等特性的选择。

模块1794-0E12

安川JAMSC-120DAI54300模块

三菱A970GOT-SBA/A9GT-BUSS触摸屏

1734-TB模块

1734-IB8模块

1734-OB8E模块

1734-232ASC模块

1734-AENT模块

1769-IF4模块

施耐德MICROLOGIC5.0A模块

6ES7400-1JA11-0AA0机架

20-VB00299电源板

6SL3040-0MA00-0AA1控制单元

6ES7 332-5HD01-0AB0模块

6ES7 331-7KF02-0AB0模块

6ES7 321-1BL00-0AA0模块

6ES7 322-1BL00-0AA0模块

6ES7972-0BA12-0XA0模块

6SL3055-0AA00-3AA1模块

ATV312HU30N4变频器

6ES7421-1BL01-0AA0模块

6SL3224-0BE22-2AA0变频器

25B-D043N114变频器

1769-IF4模块

IC694MDL646A模块

IC695PBM300-CC模块

IC695PSD040H模块

1747-ASB模块

1769-OW16模块

1769-SDN模块

1794-OB32P模块

2094-BC04-M03-S驱动器

A16B-2200-0391板卡

A20B-2001-0590板卡

6ES7138-4FB03-0AB0模块

PMC-916PLUS控制单元

TWDNAC485T模块

富士EP3959E-C4 Z9主板

富士OPC-VG7-TL主板

6ES7315-2AG10-0AB0模块

6ES7331-7KF02-9AJ0模块

6SL3120-2TE21-0AA3驱动模块

6SL3040-0LA00-0AA1控制单元

6GT2002-0EB20模块

6SL3210-1SE17-7UA0变频器

6SL3130-7TE25-A3模块

6SL3120-1TE13-0AA3驱动模块

6ES7953-8LJ20-0AA0存储卡

6SL3120-1TE23-0AA3模块

6SL3120-1TE21-0AA3模块

6SL3120-1TE26-0AA3模块

6SL3120-1TE21-8AA3驱动器

6SL3120-2TE21-8AA3驱动器

6ES7340-1AH01-0AE0模块

6ES7315-2EH13-0AB0模块

6ES7132-4BD02-0AA0模块

6EP1931-2EC42模块

6SL3262-1AB00-0DA0

6SL3203-0CD21-0AA0